[发明专利]含有掺杂相变层的相变随机存取型存储器及其操作方法无效
| 申请号： | 200710108112.9 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101101919A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 卢振瑞;金基俊;姜闰浩;申雄澈;徐东硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有掺杂相变层的相变存储器及操作该相变存储器的方法。该相变存储器包括具有相变层的存储节点和开关装置，其中相变层中铟的含量a1为5at％＜a1＜15at％，该相变层可以是含有铟的GST层。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 掺杂 相变 随机存取 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器，包括具有相变层的存储节点和开关装置，其中相变层中铟的含量a1为5at％＜a1＜15at％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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