[发明专利]绝缘栅型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法。在绝缘栅型半导体装置中，使栅极导通时，抑制二极管的正向电压Vf以及恢复电流的上升，并且，提高导通特性。采用如下结构：在半导体衬底(1)的第一主面侧的区域A上设置发射极层(3)，不在区域B上设置发射极层(3)。此外，采用如下结构：在半导体衬底(1)的第二主面侧的区域A上设置集电极P层(5)，在区域B上设置阴极N层(4)。即，采用在区域A上构成IGBT、在区域B上构成二极管的结构。根据所述结构，使栅极导通时，能够抑制二极管的正向电压Vf以及恢复电流的上升，并且，能够提高导通特性。

主权项

1.一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型的半导体衬底，具有第一主面以及第二主面；第二导电型的第一半导体层，设置在所述半导体衬底的至少一个第一区域以及与该区域邻接的至少一个第二区域的所述第一主面附近；第一槽，按照所述第一区域的各区域设置多个，从所述半导体衬底的所述第一主面贯通所述第一半导体层；第一导电型的第二半导体层，在所述半导体衬底的所述第一主面侧，选择地设置在所述第一区域的所述第一半导体层内的所述第一槽的附近；绝缘膜，覆盖所述第一槽的内表面；导电膜，通过所述绝缘膜，埋入到所述第一槽的内部；第一主电极，设置在所述第一半导体层以及所述第二半导体层之上，并与这些层电连接；第三半导体层，设置在所述半导体衬底的所述第二主面上；第四半导体层，设置在所述半导体衬底的所述第二主面上；第二主电极，覆盖所述第三半导体层以及所述第四半导体层，并设置在所述半导体衬底的所述第二主面上。