[发明专利]化合物半导体衬底及其检测方法和表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法有效
| 申请号： | 200710104113.6 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101075570A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 西浦隆幸;田中聪;堀江裕介;冲田恭子;冈本贵敏 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在化合物半导体衬底的表面具有降低了的杂质含量的化合物半导体衬底的检测方法、化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法。在化合物半导体衬底的检测方法中，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。通过该检测方法测量的化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms为不大于0.2nm。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 衬底 及其 检测 方法 表面 处理 制造 晶体 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体衬底的表面的检测方法，使用原子力显微镜以不大于0.4nm的间距在不大于0.2平方微米的范围内测量化合物半导体衬底的表面粗糙度Rms。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
