[发明专利]具有拉应力膜和压应力膜的CMOS半导体器件有效
| 申请号： | 200710103304.0 | 申请日： | 2007-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101140932A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 谢尔盖·皮丁 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种CMOS半导体器件，包括：隔离区，形成于半导体衬底的表面层中，用以定义彼此邻近的NMOSFET有源区和PMOSFET有源区；NMOSFET结构，形成于所述NMOSFET有源区中；PMOSFET结构，形成于所述PMOSFET有源区中；拉应力膜，覆盖所述NMOSFET结构；以及压应力膜，覆盖所述PMOSFET结构，其中在所述拉应力膜与所述压应力膜之间的边界被设定为沿着栅极宽度方向比所述NMOSFET有源区更接近所述PMOSFET有源区。CMOS半导体器件的性能可以通过拉应力膜和压应力膜的设计来改进。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 cmos 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS半导体器件，包括：半导体衬底；隔离区，形成于所述半导体衬底的表面层中，用以定义彼此邻近的NMOSFET有源区和PMOSFET有源区；NMOSFET结构，形成于所述NMOSFET有源区中；PMOSFET结构，形成于所述PMOSFET有源区中；拉应力膜，覆盖所述NMOSFET结构；以及压应力膜，覆盖所述PMOSFET结构其中所述拉应力膜与所述压应力膜之间的边界被设定为沿着栅极宽度方向比所述NMOSFET有源区更接近所述PMOSFET有源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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