[发明专利]光敏晶体管无效
| 申请号： | 200710102359.X | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101068040A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·库格勒 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L31/112 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种对使用光的照射感光的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管可以提高所述晶体管的特性和所述晶体管态的控制参数。所述晶体管包含绝缘衬底；源极电极；漏极电极；第一半导体材料的半导体层，所述半导体层形成所述晶体管的沟道；栅极电极；和在所述栅极电极和所述半导体层之间的绝缘层。将第二半导体材料设置在所述半导体层与所述源极电极和所述漏极电极中的至少一个之间，并且与其电连接。所述第二半导体材料是光电导的。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种光敏晶体管，其包含：源极电极；漏极电极；第一半导体材料的半导体层，所述半导体层形成所述晶体管的沟道；栅极电极；和在所述栅极电极和所述半导体层之间的绝缘层，其中将第二半导体材料设置在所述半导体层与所述源极电极和所述漏极电极中的至少一个之间，并且与其电连接，所述第二半导体材料是光电导的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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