[发明专利]包括杂质掺杂区的半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 200710100610.9 | 申请日： | 2007-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101026091A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 上野哲嗣;李化成;李浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/336;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括杂质掺杂区的半导体器件及其形成方法。该方法包括将团簇形掺杂剂离子注入到半导体衬底中从而形成杂质注入区。对该杂质注入区进行退火工艺从而形成杂质掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 杂质 掺杂 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：将一种或更多团簇形掺杂剂离子注入到半导体衬底中以形成杂质注入区；以及对该杂质注入区执行激光退火工艺以形成杂质掺杂区，其中该团簇形掺杂剂离子包括彼此结合的多个掺杂剂单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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