[发明专利]具有独立的电容及环形等离子体源的等离子体反应器设备无效
| 申请号: | 200710098396.8 | 申请日: | 2007-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN101064238A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
| 发明(设计)人: | 亚历山大·M·帕特森;瓦伦丁·N·托多罗夫;西奥多洛斯·帕纳戈波洛斯;布赖恩·K·哈彻;丹·卡茨;爱德华·P·哈蒙德四世;约翰·P·荷文;亚历山大·马特尤什金 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32;H01J37/00;H01J9/00;H05H1/02;C23F4/00 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明公开了一种用于处理工件的等离子体反应器,包括:构成反应器腔室的罩和所述腔室内的工件支架,所述罩包括面向所述工件支架的顶;环形等离子体源,包括中空凹角管道和靠近凹角外部管道的一部分的RF功率施加器,所述中空凹角管道在腔室外部并具有与腔室内部连接的一对端部同时形成经过管道延伸并贯穿工件支架直径的闭合环形路径;以及耦合至环形等离子体源的RF功率施加器的RF功率发生器。所述反应器进一步包括:具有源功率电极和VHF功率发生器的电容耦合等离子体源功率施加器和包括偏压功率电极和至少第一RF偏压功率发生器的等离子体偏压功率施加器。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 独立 电容 环形 等离子体 反应器 设备 | ||
【主权项】:
1.一种在等离子体反应器的腔室中处理工件的方法,包括:将工艺气体导入腔室中;同时进行:a)电容耦合VHF等离子体源功率至位于晶圆上方的所述腔室的工艺区中,以及b)电感耦合RF等离子体源功率至所述工艺区中;以及通过调节耦合至所述工艺区中的所述电容耦合VHF功率和所述电感耦合功率的比例,调节下述其中之一:a)所述工艺区中的等离子体离子密度的径向分布,以及b)所述等离子体中物质的离解度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





