[发明专利]制造具有无等离子体损坏的光电二极管的互补金属氧化物半导体图像传感器的方法有效
| 申请号： | 200710097970.8 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101064281A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 车韩燮 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，其包括：提供半成品衬底，在该衬底的光电二极管区域上形成图案化阻挡层，使用掩模在除该光电二极管区域之外的区域上注入杂质而该图案化阻挡层保留，及移除该掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 有无 等离子体 损坏 光电二极管 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的方法，所述方法包括：提供半成品衬底；在所述衬底的光电二极管区域上形成图案化阻挡层；使用掩模在除所述光电二极管区域之外的区域上注入杂质，同时保留所述图案化阻挡层；和移除所述掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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