[发明专利]高散热效率发光二极管的封装方法及其结构无效
申请号: | 200710097745.4 | 申请日: | 2007-04-28 |
公开(公告)号: | CN101295649A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 王派酋 | 申请(专利权)人: | 奥古斯丁科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/36;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有高热传导效率的发光二极管的封装方法及其结构,包括:首先备有具有多个凹穴的铜金属基板,在基板的表面及凹穴底部上形成绝缘层,在基板的绝缘层上形成一组金属线路,在该组金属线路的表面上无需进行电连接及未被包覆之处涂有一层绝缘漆,在该没有绝缘漆的金属线路及凹穴的绝缘层上形成一层锡层,并将该组发光芯片固定在凹穴的锡层上;接着,在该组发光芯片与金属线路间电连接金线组,再将一个环形物体设置在该基板表面上,并将该组发光芯片、金线及金属线路包围在其内,然后在该组发光芯片、金线及金属线路上点上荧光胶;最后,在环形物体内部填入环氧树脂,在环氧树脂干燥后即形成环氧树脂层,从而完成发光二极管的封装制作。 | ||
搜索关键词: | 散热 效率 发光二极管 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
1.一种高散热效率发光二极管的封装方法,所述方法包括以下步骤:(a)备有铜金属基板,并在其上形成多个凹穴;(b)在所述铜金属基板表面及所述凹穴底部上形成绝缘层;(c)在所述绝缘层上形成金属线路;(d)在所述金属线路上无需进行电连接及未被包覆的表面上形成绝缘漆;(e)在所述金属线路未涂覆绝缘漆的表面及所述凹穴的绝缘层表面上形成锡层;(f)在所述凹穴的锡层上固定发光芯片组;(g)在所述发光芯片组与所述金属线路之间电连接多条金线,使所述发光芯片组呈串联电连接;(h)在所述铜金属基板的表面上形成中空环形物体,所述环形物体将所述发光芯片组、金线及金属线路包围在其内;(i)在所述发光芯片组、金线及金属线路的锡层上点上荧光胶,从而形成荧光层;以及,(k)在所述环形物体内部填入环氧树脂,并包覆所述荧光层,从而形成环氧树脂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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