[发明专利]数据处理电路有效

专利信息
申请号: 200710096452.4 申请日: 2007-04-17
公开(公告)号: CN101059703A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 上田和宏 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56;H04L25/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体器件,其包括具有不受电源电压波动影响的电阻特性的电阻元件,以及具有不受电源电压波动影响的期望的输出阻抗特性的信号输出电路。生成基于对应于电路接地电位点的参考电压的恒定电流。恒定电流传至第一电阻元件,该第一电阻元件的一端连接到电源电压端子。由第一电阻元件产生的电压供给到第一差分放大器,且该输出电压供给到第一导电类型的第一MOSFET的栅极,该第一MOSFET的源极连接到电源电压端子。第一MOSFET的漏极电压反馈到第一差分放大器的另一输入端子。第一电流源设置在第一MOSFET的漏极和电路的接地电位点之间。第一导电类型的第二MOSFET用作电阻元件,该第二MOSFET的源极连接到电源电压端子且其栅极和第一MOSFET的栅极共同连接。
搜索关键词: 数据处理 电路
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一电路,用于基于对应于所述电路的接地电位点的参考电压来产生恒定电流;第一电阻元件,其一端连接到电源电压端子,且由所述第一电路产生的所述恒定电流传至所述第一电阻元件;第一差分放大器,其具有输入端子,由所述第一电阻元件产生的电压供给到所述输入端子之一;第一导电类型的第一MOSFET,其源极连接到所述电源电压端子,且其栅极接收所述第一差分放大器的输出电压,所述第一MOSFET将漏极电压反馈给所述第一差分放大器的另一输入端子;第一电流源,设置在所述第一MOSFET的所述漏极和所述电路的所述接地电位点之间,且设定要传至所述第一MOSFET的电流;以及所述第一导电类型的第二MOSFET,其源极连接到所述电源电压端子且其栅极和所述第一MOSFET的栅极共同连接,其中所述第二MOSFET用作电阻元件,其电阻值对应于所述参考电压和所述第一电流源的电流而设定。
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