[发明专利]半导体激光装置及其制造方法、光传输模块和光盘设备有效
| 申请号： | 200710096023.7 | 申请日： | 2007-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101055970A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 蛭川秀一;岸本克彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了在高功率输出时能稳定工作而不损伤谐振腔端面的半导体激光装置及其制造方法，以及使用该半导体激光装置的光传输模块和光盘设备。一种半导体激光装置的制造方法，包括：形成至少具有半导体层以形成谐振腔端面的激光器晶片的激光器晶片形成步骤；在空气中解理该激光器晶片并形成具有该谐振腔端面的半导体激光元件的解理步骤；将该谐振腔端面与含氮气90－100体积％的含氮气气体接触至少一个小时的接触步骤；以及形成与该谐振腔端面接触的反射控制膜的反射控制膜形成步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 传输 模块 光盘 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置的制造方法，所述半导体激光装置至少包括具有用于发射激光的谐振腔端面与反射控制膜的半导体激光元件，所述方法包括：激光器晶片形成步骤，形成至少具有半导体层以形成谐振腔端面的激光器晶片；解理步骤，在空气中解理所述激光器晶片并形成具有所述谐振腔端面的半导体激光元件；接触步骤，将所述谐振腔端面与含氮气90-100体积％的含氮气气体接触至少一个小时；以及反射控制膜形成步骤，形成与所述谐振腔端面接触的反射控制膜。
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