[发明专利]钨化学机械研磨方法及钨插塞的制造方法无效
| 申请号： | 200710094561.2 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101456153A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李健;邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种钨化学机械研磨方法，包括：提供具有介质层的半导体结构，在所述介质层中具有开口，在所述开口中和介质层上依次具有金属阻挡层和钨金属层；执行第一阶段化学机械研磨，去除所述介质层上的部分厚度的钨金属层；执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介质层上剩余的钨金属层和金属阻挡层；执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介质层。本发明还提供一种钨插塞的制造方法。本发明在制造钨插塞时可减少凹陷的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 钨插塞 制造 | ||
【主权项】：
1、一种钨化学机械研磨方法，其特征在于，包括：提供具有介质层的半导体结构，在所述介质层中具有开口，在所述开口中和介质层上依次具有金属阻挡层和钨金属层；执行第一阶段化学机械研磨，去除所述介质层上的部分厚度的钨金属层；执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介质层上剩余的钨金属层和金属阻挡层；执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介质层。
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