[发明专利]高压晶体管制造方法有效
| 申请号： | 200710094381.4 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452849A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压晶体管制造方法，通过在所述硅衬底上阱区的位置进行选择性延伸轻掺杂源漏离子注入后，在晶体管沟道靠近源端一侧，增加一道靠近表面的离子注入，从而有效减小了晶体管表面的沟道长度，进而增加了晶体管的饱和电流；而且，本发明所述方法也不会影响晶体管源端的结击穿电压以及漏电流等特性，因此不会引起晶体管源漏穿通等安全问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压晶体管制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底阱区的位置进行选择性延伸轻掺杂源漏离子注入以后，增加一道对晶体管沟道靠近源区的一侧进行离子注入的工序，然后再对硅片进行延伸源漏退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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