[发明专利]磷硅玻璃生长工艺及磷硅玻璃无效
| 申请号： | 200710094369.3 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101450833A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐伟中 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C03B8/04 | 分类号： | C03B8/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磷硅玻璃生长工艺，采用高密度等离子体化学汽相淀积生长磷硅玻璃，在磷硅玻璃沉积过程中，溅射偏压功率与硅片面积的比率范围在2至6W/cm2之间，氧气的摩尔量比硅烷与磷烷摩尔量的和的范围在1.5至2之间。本发明还公开了一种由上述工艺生长的磷硅玻璃，该磷硅玻璃花状外壳的底部起点与衬底的距离大于40nm。本发明通过选择适当的溅射偏压和氧气流量来降低溅射能量和溅射密度，减少图形之间开始形成磷硅玻璃花状外壳的速度，从而提高磷硅玻璃花状外壳底部起点，扩大了选择性刻蚀的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 生长 工艺 | ||
【主权项】：
1. 一种磷硅玻璃生长工艺，采用高密度等离子体化学汽相淀积生长磷硅玻璃，其特征在于，在磷硅玻璃沉积过程中，溅射偏压功率与硅片面积的比率范围在2至6W/cm2之间，氧气的摩尔量比硅烷与磷烷摩尔量的和的范围在1.5至2之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094369.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种CF显示面板以及加工方法
- 下一篇：一种多联空调机除霜方法和装置
