[发明专利]一种单片高增益低噪声放大器无效
申请号: | 200710092407.1 | 申请日: | 2007-07-11 |
公开(公告)号: | CN101136613A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 王国强;刘伦才;李勇;何峥嵘;罗璞;邓江 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/02;H03F1/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400060重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种单片高增益低噪声放大器,它包括:第一级放大电路、第二级放大电路、一个电阻反馈网络、一个输入匹配网络、一个输出匹配网络。本发明的低噪声放大器工作在10MHz~550MHz频带内,无须外部输入输出匹配,电路简单,体积小,有效地克服了单片两级放大结构中噪声系数与带宽、输入匹配间矛盾、工作带宽窄,输入阻抗匹配困难等缺点和混合低噪声放大器工作温度范围窄、一致性差的缺点。具有较好的电路性能,便于大批量生产,在航空电子、无线通信领域中有非常广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 单片 增益 低噪声放大器 | ||
【主权项】:
1.一种单片高增益低噪声放大器,其特征在于,该低噪声放大器含有:第一级放大电路,对来自输入端IN的信号进行第一级处理和放大,包括:一个双极晶体管V1,V1管的基极与输入端IN耦合连接,V1管的发射极接地;第二级放大电路,将从所述第一级放大电路输出的信号进行第二级处理和放大,包括:两个双极晶体管V2和V3,V2管的基极与所述第一级放大电路V1管的集电极连接,V2管的发射极与V3管的基极连接,V2管的集电极与V3管的集电极相连,并与电源Vdd及输出OUT连接;一个电阻反馈网络,实现噪声匹配和阻抗匹配,包括:电阻R1、R2、R3、R4,R5,电阻R1一端连接所述第一级放大电路V1管的基极,其另一端经电阻R2与所述第二级放大电路V2管的发射极连接,经电阻R3与V3管的发射极连接,电阻R4一端与V3管的发射极连接,其另一端接地,电阻R5一端与V1管的集电极连接,其另一端与V2管的集电极连接;一个输入匹配网络,实现输入阻抗匹配,包括:电容C3和电阻R7,电容C3一端与所述第一级放大电路V1管的集电极连接,其另一端经电阻R7接地;一个输出匹配网络,实现输出阻抗匹配,包括:电容C4、C5和电阻R8、R9,电容C4一端与所述第二级放大电路V3管的集电极连接,其另一端经电阻R8接地,电容C5一端与V3管的发射极连接,其另一端经电阻R9接地。
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