[发明专利]薄膜器件有效
申请号: | 200710092188.7 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101071679A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 藤原俊康 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F37/00 | 分类号: | H01F37/00;H01F27/255;H01F30/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高电感的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(12)上的薄膜线圈(13)上,下部线圈部分(13A)的厚度TA比上部线圈部分(13B)的厚度TB小。与厚度TA、TB的总和固定、这些厚度TA、TB彼此相等的情况不同,因为下部线圈部分(13A)的厚度TA不会过大,所以,磁性膜(12)基底的起伏变小。由此,磁性膜(12)的平坦性变好,故磁特性(导磁率)不会恶化。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 器件 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜器件,其特征在于,具有:衬底;配置在所述衬底上的磁性膜;缠绕在所述磁性膜上的薄膜线圈,所述薄膜线圈包括:多个第一线圈部分,配列在接近所述衬底的阶层面上;多个第二线圈部分,配列在远离所述衬底的阶层面上;多个第三线圈部分,与所述第一以及第二线圈部分串联连接,所述第一线圈部分的厚度比所述第二线圈部分的厚度小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710092188.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。