[发明专利]磁存储装置

摘要

通过使用显示出良好记录再现性能的垂直磁记录介质与屏蔽磁极磁头结合，实现比现有技术更高的记录。使用垂直磁记录介质和屏蔽磁极磁头。该屏蔽磁极磁头包括具有主磁极和辅助磁极的单极型写入器，还经由非磁性间隙层设置磁屏蔽，以便至少覆盖主磁极的尾侧的向下磁道方向。垂直磁记录介质具有两个记录层。第一记录层包括具有Co作为主要成分并至少包含Cr和Pt的铁磁晶粒以及包含氧化物的晶界。第二记录层包括具有Co作为主要成分以及至少包含Cr和不包含氧化物的合金。第一记录层的饱和磁化强度Ms1(kA/m)，第二记录层的饱和磁化强度Ms2(kA/m)以及软磁下层(nm)的薄膜厚度ts(nm)满足以下关系：20+0.033＊ts²+2.3＊ts≤4/3＊Ms1－Ms2≤329－0.024＊ts²+1.9＊ts。

主权项

1.一种磁存储装置，包括：磁记录介质、驱动所述磁记录介质的介质驱动器、设有写入器和读取器的磁头、相对于所述磁记录介质驱动所述磁头的磁头致动器，以及处理到所述磁头的输入信号和来自所述磁头的输出信号的信号处理单元，其中：所述磁头的写入器具有主磁极、辅助磁极和磁屏蔽，该磁屏蔽经由非磁性间隙层至少在所述主磁极的尾侧上形成以便增加写-磁场梯度；所述磁记录介质是具有软磁下层、下层、第一记录层以及第二记录层的垂直磁记录介质，该下层用来控制晶体结构和促进所述软磁下层上形成的偏析，该第一记录层由铁磁晶粒构成，该铁磁晶粒具有作为主要成分的Co和包含Cr和Pt，该第一记录层还由包含形成在所述下层上的氧化物的晶界构成，以控制晶体结构和促进偏析，第二记录层形成在所述第一记录层上，由具有作为主要成分的Co、包含Cr但是不包含氧化物的合金形成；以及所述第一记录层的饱和磁化强度Ms1(kA/m)、所述第二记录层的饱和磁化强度Ms2(kA/m)以及所述软磁下层(nm)的薄膜厚度ts(nm)满足以下关系：20+0.033*ts2+2.3*ts≤4/3*Ms1-Ms2≤329-0.024*ts2+1.9*ts