[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号: | 200710091936.X | 申请日: | 2007-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN101047117A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
| 发明(设计)人: | 尾崎秀彦 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种基板处理装置,在该基板处理装置的浓度测量部中,通过混合样品气体和氮气而对样品气体稀释,从而对稀释后的样品气体中所包含的IPA气体的浓度进行测量。并且,将所测量的浓度值(C1)和基于样品气体以及稀释气体的流量所得到的稀释率的倒数(1/P)相乘,而将稀释前的样品气体所包含的IPA气体的浓度(C0)设为C0=C1×(1/P)而计算出。因此,即使在使用高浓度的IPA气体的情况下,也能够正确测量出IPA气体的浓度。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其通过处理气体对基板进行处理,其特征在于,具有:处理室,其在内部容纳基板;处理气体供给部,其将处理气体和载气一起供给到所述处理室;提取部,其提取所述处理室内的气体的一部分作为样品气体;稀释气体供给部,其供给用于稀释样品气体的稀释气体;稀释部,其混合由所述提取部所提取的样品气体和由所述稀释气体供给部所供给的稀释气体,而对样品气体进行稀释;浓度计,其对由所述稀释部所稀释的样品气体中所包含的处理气体的浓度进行测量;第一流量计,其对自所述提取部至所述稀释部的配管内流动的稀释前的样品气体的流量进行测量,或者对自所述稀释部开始的配管内流动的稀释后的样品气体的流量进行测量;第二流量计,其对自所述稀释气体供给部至所述稀释部的配管内流动的稀释气体的流量进行测量;计算部,其基于所述浓度计、所述第一流量计以及所述第二流量计的各测量值,计算出稀释前的样品气体中所包含的处理气体的浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本网目版制造株式会社,未经大日本网目版制造株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710091936.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:日本结缕草高频基因枪转化方法
- 下一篇:含氮查耳酮衍生物的制备方法和用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





