[发明专利]基板处理方法和装置、半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710091528.4 | 申请日： | 2007-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101127295A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 三好秀典;石川健治;泷川幸雄;中田义弘;立石秀树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;富士通株式会社;株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;彭益群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种基板处理方法，所述基板上带有绝缘膜和金属层，该方法包括向基板提供羧酸酐、和在向基板提供羧酸酐的过程中加热基板的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，所述基板上具有绝缘膜和金属层，该方法包括下列步骤：为所述基板提供羧酸酐；和在所述的为所述基板提供所述羧酸酐的步骤中加热所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
