[发明专利]集成工艺调制一种利用HDP－CVD间隙填充的新型方法无效
| 申请号： | 200710090263.6 | 申请日： | 2007-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101079379A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 斯里维斯·D·内曼尼;杨·S·李;埃利·Y·伊;王安川;贾森·托马斯·布洛基;韩龙典 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;H01L21/311;C23C16/00;C23C16/54;C23C16/56;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在设置于工艺腔室内的衬底上沉积氧化硅薄膜的工艺。将包括卤素源、流动气体、硅源和氧化气体的工艺气体流入工艺腔室中。具有离子密度至少为1011离子/厘米3的等离子体由上述工艺气体形成。在衬底上形成具有卤素浓度低于1.0％的氧化硅薄膜。利用同时具有沉积和溅射成分的工艺的等离子体沉积氧化硅薄膜。进入腔室的卤素源的流速和进入腔室的硅源流速之比基本为0.5和3.0之间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 工艺 调制 一种 利用 hdp cvd 间隙 填充 新型 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于填充在衬底上形成的金属沉积前的沟槽的方法，包括，执行循环，该循环包括：在高密度化学气相沉积腔室中在衬底上沉积层，将所述衬底冷却至低于400℃，以及在腔室内蚀刻衬底上的部分所述沉积层；以及以预设循环次数重复沉积层和蚀刻部分所述层的循环。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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