[发明专利]导电膜层的制造方法无效
| 申请号： | 200710089769.5 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276753A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 邱羡坤;赖钦诠;林宜平;杨淑贞 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/768;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种导电膜层的制造方法，包括下列步骤：首先，提供一基板，并在基板上形成一图案化粘着层。接着，进行一化学镀制程，并将基板置于一电镀液中且借由震荡电镀液，而使图案化粘着层上形成一第一金属层。然后，进行一镀膜制程，以在第一金属层上形成一第二金属层。本发明的导电膜层的制造方法可有效降低制造成本并提升制程良率，且导电膜层能具有良好的导电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种导电膜层的制造方法，适用于薄膜电晶体制程，其特征在于，该导线膜层的制造方法包括：提供一基板；在该基板上形成一图案化粘着层；进行一化学镀制程，并将该基板置于一电镀液中，而使该图案化粘着层上形成一第一金属层；以及进行一镀膜制程，以在该第一金属层上形成一第二金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司，未经中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710089769.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种胶棉挤水拖把
- 下一篇：一种复跌撒漏式细颗粒物料混料机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
