[发明专利]静电卡盘及其制造方法有效
| 申请号： | 200710089472.9 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101043016A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 森丰;曻和宏 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C04B35/581 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对于在含有钐－铝氧化物相的陶瓷基体中设置埋设电极的静电卡盘，本发明提供了使电阻率稳定、高度兼顾吸附特性和解吸性特性的静电卡盘及其制作方法。静电卡盘(1)具有由含钐的氮化铝烧结体构成的基体和在该基体中埋设的含钼电极(17)，在所述基体(3)中的从电极(17)到基体表面(7)的部分形成电介质层(21)，在吸附和载置被处理物的衬底载置面上构成所述基体表面(7)，其特征是，所述电极(17)的附近的基体部分中的钐－铝氧化物相的含有率以面积比计设定在2.5％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.静电卡盘，该静电卡盘具有由含钐的氮化铝烧结体构成的基体和在该基体中埋设的含钼电极，上述基体中的从电极到基体表面的部分形成电介质层，上述基体表面构成吸附和载置被处理物的衬底载置面，其特征在于，上述电极附近的基体部分中的钐-铝氧化物相的含有率以面积比率计设定为2.5％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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