[发明专利]等离子体蚀刻方法无效
| 申请号： | 200710089423.5 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101043004A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 菊池秋广;角田崇司;坂本雄一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，该方法在确保充分的对掩模的选择比和蚀刻率的同时，能够以抗蚀剂膜作为掩模来蚀刻层积膜中的硅层。在等离子体处理装置(100)的处理室内，对于具有以硅为主要成分的硅层、和在该硅层的上层至少层积形成有氧化硅膜、氮化硅膜以及抗蚀剂膜的被处理体，使用由包括碳氟化合物气体、氢氟烃气体、稀有气体以及氧气的处理气体生成的等离子体，以抗蚀剂膜作为掩模，一并对氮化硅膜、氧化硅膜以及硅层进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括：对具有以硅为主要成分的硅层、以及在该硅层的上层形成的并且预先形成有图形的抗蚀剂膜的被处理体，使用由包含碳氟化合物气体、氢氟烃气体、稀有气体以及O2气体的处理气体生成的等离子体，以所述抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻所述硅层的工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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