[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710089394.2 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101043028A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 古谷晃 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：形成在衬底上的第一含铜导电膜；形成在第一含铜导电膜上的绝缘膜，其具有到达第一含铜导电膜的凹进部分；第二阻挡绝缘膜，其被形成为覆盖这些绝缘膜的凹进部分的侧壁；由铜和除铜以外的不同元素制成的第二粘附合金膜，其与第一含铜导电膜在凹进部分的底部表面相接触，并与第二阻挡绝缘膜在凹进部分的侧壁相接触，以覆盖凹进部分的内壁；以及含有铜作为主要成分的第二含铜导电膜，其与第二粘附合金膜相接触地形成在第二粘附合金膜上，以填充凹进部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在衬底上的下层导电膜；层间绝缘膜，其形成在所述下层导电膜上，并且具有到达所述下层导电膜的凹进部分；阻挡绝缘膜，其形成为覆盖所述层间绝缘膜的所述凹进部分的侧壁，并且由能够防止铜扩散的材料制成；合金膜，其由铜和除铜以外的不同元素制成，并且与所述下层导电膜在所述凹进部分的底部表面相接触，并与所述阻挡绝缘膜在所述凹进部分的侧壁相接触，以便覆盖所述凹进部分的内壁；以及上层导电膜，其含有铜作为主要成分，并且与所述合金膜相接触地形成在所述合金膜上，以填充凹进部分。
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