[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710089335.5 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101097955A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;林红 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法。具体地，涉及改进的具有位于源漏(S/D)区的产生应力的结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。具体地，每一个MOSFET包括位于半导体衬底中的源区和漏区。这样的源区和漏区包括具有相对于半导体衬底的上表面倾斜的一个或者多个侧壁表面的凹陷。产生应力的电介质层在源区和漏区位于所述凹陷的倾斜的侧壁表面上。这样的MOSFET能够通过对半导体衬底进行晶格蚀刻形成具有倾斜的侧壁表面的凹陷，继而在上面淀积产生应力的电介质层而容易地形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括具有位于半导体衬底中的源区和漏区的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，其中，所述源区和漏区包括具有相对于所述半导体衬底的上表面倾斜的一个或者多个侧壁表面的凹陷，并且，其中，产生应力的电介质层在源区和漏区位于所述凹陷的倾斜侧壁表面上。
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