[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710088984.3 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101047155A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吉见英章;梅本光雄;恩田和美;堀中和己 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其能提高散热性。半导体装置(10)包括：半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面，其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外，散热器(17)的厚度为500μm～2mm，也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强，半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右，因此，其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，其具有第一主面和第二主面，所述第一主面形成有与电路元件电连接的电极，所述第二主面与所述第一主面相对；散热器，其搭载在所述第二主面上，具有与所述半导体基板相等的平面大小。
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