[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 200710088984.3 | 申请日: | 2007-03-29 |
公开(公告)号: | CN101047155A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 吉见英章;梅本光雄;恩田和美;堀中和己 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L21/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,其能提高散热性。半导体装置(10)包括:半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面,其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外,散热器(17)的厚度为500μm~2mm,也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强,半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右,因此,其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体基板,其具有第一主面和第二主面,所述第一主面形成有与电路元件电连接的电极,所述第二主面与所述第一主面相对;散热器,其搭载在所述第二主面上,具有与所述半导体基板相等的平面大小。
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