[发明专利]存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710088452.X | 申请日： | 2007-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101047187A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 铃木弘之;山田光一;山田裕 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L23/522;H01L21/8246;H01L21/768;G11C17/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够将尺寸减小的存储器及其制造方法。该存储器包括：n型杂质区域(12)，其形成在p型硅基板(11)的主表面上，作为存储器单元(9)中包含的二极管(10)的阴极及字码(7)而起作用；p型杂质区域(14)，其在n型杂质区域(12)的表面上隔开规定的间隔而形成有多个，作为二极管(10)的阳极而起作用；位线(8)，其形成在p型硅基板(11)上，与p型杂质区域(14)连接；配线层(27)，其设置在位线(8)的下层，相对于n型杂质区域(12)每隔规定间隔进行连接。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，其特征在于，包括：半导体基板；第一导电型的第一杂质区域，其形成在所述半导体基板的主表面上，作为存储器单元中包含的二极管的一个电极以及字码线而起作用；第二导电型的第二杂质区域，其在所述第一杂质区域的表面上隔开规定间隔而形成多个，作为所述二极管的另一个电极而起作用；位线，其形成在所述半导体基板上，与所述第二杂质区域连接；配线，其形成在所述位线的下层，相对于所述第一杂质区域每隔规定间隔进行连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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