[发明专利]像素结构的制作方法有效

专利信息
申请号: 200710088344.2 申请日: 2007-03-16
公开(公告)号: CN101022093A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: 石志鸿;黄明远;杨智钧;林汉涂;廖达文;方国龙;蔡佳琪 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/28;H01L21/3213;H01L21/768
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种像素结构的制作方法,该方法包括下列步骤:首先,提供一已形成有一主动组件的基板。接着,形成一图案化保护层于基板与主动组件上,图案化保护层暴露出部分的主动组件。继之,形成一导电层覆盖该图案化保护层,且导电层电性连接至主动组件。接着,提供一掩膜于导电层上方,且掩膜暴露出部分的导电层,再使用激光经由掩膜照射导电层,以移除掩膜所暴露的部分导电层,而剩余的导电层构成一像素电极且电性连接至该主动组件。此制作方法较为简单因而降低制作成本。
搜索关键词: 像素 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种像素结构的制作方法,其特征是,该像素结构的制作方法包括:提供一基板,且该基板上已形成有一主动组件;形成一图案化保护层于该基板与该主动组件上,其中该图案化保护层暴露出部分的主动组件;形成一导电层于该图案化保护层上;提供一掩膜于该导电层上方,且该掩膜暴露出部分的导电层;以及使用激光经由该掩膜照射该导电层,以移除该掩膜所暴露的部分导电层,而剩余的该导电层构成一像素电极,其中该像素电极连接至所述的主动组件。
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