[发明专利]半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法

摘要

本发明涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。在N型GaAs衬底(2)上，形成N型GaAs缓冲层(4)、N型GaInP中间层(6)、N型AlGaInP包层(8)、非掺杂MQW有源层(10)、P型AlGaInP包层(12)、P型AlGaInP包层(14)、P型GaAs盖层(16)。P型包层(14)以及P型盖层(16)在脊部(15)上形成。窄幅部(17)在N型衬底(2)的上部及所述各层中形成，在脊部(15)的侧面、窄幅部(17)的表面、和N型衬底(2)的台阶部(2a)的表面形成SiO₂膜(18)。在脊部(15)和窄幅部(17)的表面形成的SiO₂膜(18)的上面形成P侧电极层(23)。

主权项

1.一种半导体激光元件，其特征在于，具有：衬底；在所述衬底上形成的下部包层；在所述下部包层上形成的有源层；在所述有源层上形成的第一上部包层；覆盖所述第一上部包层、有源层以及下部包层的侧面的电介质膜；覆盖所述电介质膜、并且电连接所述第一上部包层的电极层。