[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

将多个半导体芯片(23)结合至基板(21)上所形成的粘接层(22)。然后，对多个半导体芯片(23)集中形成第一至第三绝缘膜(31、35、39)、第一和第二底垫金属层(33、37)、第一和第二重新布线(34、38)，以及焊球(41)。在这种情况下，第一和第二底垫金属层(33、37)通过溅射法形成，且第一和第二重新布线(34、38)通过电镀法形成。随后，在位于相邻半导体芯片(23)之间的区域中切割由三个绝缘膜(39、35、31)、粘接层(22)和基板(21)组成的分层结构。

主权项

1.一种半导体装置，包括：至少一个半导体芯片(23)，在其上表面上形成有多个连接垫(25)；形成覆盖所述半导体芯片(23)上表面及周围表面的至少一层绝缘膜(31、35、39)；以及以与所述半导体芯片(23)的连接垫(25)电连接的方式，在所述绝缘膜(31、35、39)上表面上形成的重新布线(38、134)；其中至少一些所述重新布线(38、134)中的每一个，包括位于所述半导体芯片(23)之外，所述绝缘膜(31、35、39)的一区域中的衬垫部分，以及其中所述绝缘膜(31)具有上表面及下表面，并具有位于所述半导体芯片(23)之外并从所述绝缘膜(31)的上表面延伸至下表面的通孔(28)，在该通孔(28)内形成电极(161)。