[发明专利]金属导线及其制造方法有效
申请号: | 200710087532.3 | 申请日: | 2007-03-16 |
公开(公告)号: | CN101022080A | 公开(公告)日: | 2007-08-22 |
发明(设计)人: | 李豪捷;朱庆云 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/522;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;徐金国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属导线及其制造方法,包括下列步骤:形成一第一膜层于一基板上。形成一第二膜层于第一膜层上。形成一导线开口于第一与第二膜层,并曝露出部分基板上表面。对第一膜层的开口侧壁进行蚀刻,使其侧壁向内回缩,而于第二膜层与基板间形成一侧向缺口。形成一晶种层于导线开口曝露的基板上表面及第二膜层上表面。进行一电镀工序,形成一金属材料于晶种层表面,并填充于导线开口与侧向缺口中,而形成一金属层。去除第二膜层,并剥离层叠于第二膜层之上的晶种层及金属材料。 | ||
搜索关键词: | 金属 导线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种金属导线的制造方法,包括:形成一晶种层于一基板上;形成一第一膜层于该晶种层上;形成一第二膜层于该第一膜层上;形成一导线开口于该第一与该第二膜层,并曝露出部分该晶种层上表面;对该第一膜层的开口侧壁进行蚀刻,使其侧壁向内回缩,而于该第二膜层与该晶种层间形成一侧向缺口;进行一电镀工序,填充一金属材料于该导线开口与该缺口中,而形成一金属层;去除该第一膜层与该第二膜层,并剥离在该第二膜层上的该金属层;以及去除未被该金属层覆盖的该晶种层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造