[发明专利]电子发射装置及其制造方法、由此构成的电子发射显示器无效
| 申请号： | 200710087484.8 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101042972A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 安商爀;李相祚;褚柄佶;全祥皓;赵珍熙;洪秀奉 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J29/08;H01J1/304;H01J9/00;H01J31/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;朱登河 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子发射装置，其包括：第一电极；形成于所述第一电极上的电子发射区域；和位于所述第一电极上的第二电极，其中一绝缘层介于所述第一和第二电极之间。该绝缘层和第二电极被设置以用于暴露出所述电子发射区域的开口。本发明还提供一种制造方法，包括：在所述第二电极上形成带有开口的掩模层；通过使用所述掩模层蚀刻该第二电极，形成第二电极上的开口；通过湿式蚀刻所述绝缘层，在所述绝缘层中形成开口，该绝缘层中的开口的上宽度大于第二电极中开口的宽度；通过蚀刻第二电极的与绝缘层中的开口相对应的暴露部分，扩大所述第二电极中的开口；并且去除所述掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 及其 制造 方法 由此 构成 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种制造电子发射装置的方法，该电子发射装置包括设于第一基板上的第一电极、设于所述第一电极上的电子发射区域、和设于所述第一电极上的第二电极，一绝缘层介于所述第一和第二电极之间，所述绝缘层和所述第二电极具有相应的开口以暴露出所述电子发射区域，所述方法包括：在所述第二电极上形成带开口的掩模层；通过使用所述掩模层来蚀刻所述第二电极，在所述第二电极上形成开口；通过湿式蚀刻所述绝缘层，在所述绝缘层中形成开口，其中在所述绝缘层中的开口的上部的宽度大于在所述第二电极中的开口的宽度；通过蚀刻所述第二电极的向所述绝缘层中的开口暴露的暴露部分，扩大所述第二电极中的开口；并且去除所述掩模层。
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