[发明专利]用于制造包括分流硅层的非易失性存储元件的方法无效

专利信息
申请号: 200710086238.0 申请日: 2007-03-09
公开(公告)号: CN101038893A 公开(公告)日: 2007-09-19
发明(设计)人: 卢棨彬;杨令武;陈光钊 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/8246 分类号: H01L21/8246;H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/112;H01L27/115;H01L23/522
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种包括分流硅层的非易失性存储元件及其制造方法,所述非易失性存储元件包括选择性生长的外延分流硅层(分流层),其降低了位线片电阻,并增加了位线迁移率。该分流层可通过高温原位P掺杂沉积而生成。通过本发明的选择性外延生长方法,可以实现不包括自然氧化物并具有极好的电子迁移率的位线接口。
搜索关键词: 用于 制造 包括 分流 非易失性 存储 元件 方法
【主权项】:
1、一种用于在晶圆上制造非易失性存储元件的方法,包括:将栅极结构形成在基板之上;形成邻接至该栅极结构的扩散区域;以及将分流层形成在该扩散区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710086238.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top