[发明专利]用于制造包括分流硅层的非易失性存储元件的方法无效
| 申请号： | 200710086238.0 | 申请日： | 2007-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101038893A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 卢棨彬;杨令武;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/112;H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种包括分流硅层的非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件包括选择性生长的外延分流硅层(分流层)，其降低了位线片电阻，并增加了位线迁移率。该分流层可通过高温原位P掺杂沉积而生成。通过本发明的选择性外延生长方法，可以实现不包括自然氧化物并具有极好的电子迁移率的位线接口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 包括 分流 非易失性 存储 元件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于在晶圆上制造非易失性存储元件的方法，包括：将栅极结构形成在基板之上；形成邻接至该栅极结构的扩散区域；以及将分流层形成在该扩散区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
