[发明专利]MRAM集成中改进对准的方法和结构有效
| 申请号： | 200710086197.5 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101034663A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | S·K·卡纳卡萨巴帕西;D·W·阿布拉汗 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L27/22;H01L23/544;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种实现半导体器件结构对准的方法包括在所述结构中的下层上形成第一套和第二套对准标记，所述第二套对准标记与所述第一套对准标记邻近。在包括所述第一套和第二套对准标记的所述下层的上面形成一个不透明层。在所述不透明层上对应着所述第一套对准标记的位置处的开一个窗口部分，以便使所述第一套对准标记在光学上是可见的，而所述第二套对准标记一开始就保持为被所述不透明层所覆盖。用所述光学上可见的第一套对准标记对所述不透明层进行图形化，其中，在所述不透明层的图形化期间，如果所述第一套对准标记受到损伤，所述第二套对准标记可以用于随后的对准操作。 | ||
| 搜索关键词： | mram 集成 改进 对准 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种实现半导体器件结构对准的方法，该方法包括：在所述结构中的下层中形成第一套和第二套对准标记，所述第二套对准标记与所述第一套对准标记邻近；在包括所述第一套和第二套对准标记的所述下层上形成一个不透明层；在所述不透明层上对应着所述第一套对准标记的位置处开一个窗口部分，以便使所述第一套对准标记在光学上是可见的，而所述第二套对准标记一开始就保持被所述不透明层所覆盖；以及用所述光学上可见的第一套对准标记用光刻的方法对所述不透明层进行图形化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
