[发明专利]处理方法有效
| 申请号： | 200710086184.8 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101026097A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 户田昭仁;小川和人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室(1)内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片(W)表面上的PR膜层(202)等有机膜层的下层的SiO2膜层(204)上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如20mTorr，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如200mTorr下，除去上述有机膜层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，它在真空处理容器内产生处理气体的等离子体，以除去形成在被处理体表面上的有机膜层，其特征在于，具有：在第一压力下，除去所述有机膜层的工序；和使用与该工序相同的处理气体，在高于所述第一压力的第二压力下除去所述有机膜层的工序，由所述第一压力导致的所述有机膜层的过剩处理率和由第二压力导致的所述有机膜层的过剩处理率之和设定在100％以下。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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