[发明专利]用于增强的光刻图案化的方法和系统无效
申请号: | 200710085715.1 | 申请日: | 2007-03-06 |
公开(公告)号: | CN101034254A | 公开(公告)日: | 2007-09-12 |
发明(设计)人: | S·拉尔巴哈多尔辛;S·马沙 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 康正德;陈景峻 |
地址: | 荷兰费*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种利用碳基硬掩模的双图案化系统和工艺。该双图案化系统提供在单硬掩模蚀刻步骤中形成具有比在基于单曝光的硬掩模中可印刷的最小间隔小的特征间隔的硬掩模特征的装置。 | ||
搜索关键词: | 用于 增强 光刻 图案 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于图案转移的方法,包括:朝着提供在基板上的硬掩模层提供图案化的辐射束,将硬掩模层的第一部分暴露到来自图案化的辐射束的第一剂量的辐射,第一剂量足以增强第一部分的蚀刻特征;将与硬掩模层的第一部分不同的第二部分暴露到来自图案化的辐射束的第二剂量的辐射,第二剂量足以增强第二部分的蚀刻特征;和对硬掩模层进行蚀刻处理,其中基本移除了第一和第二部分,并且其中除了第一和第二部分之外的硬掩模层的部分基本完整。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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