[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710084951.1 | 申请日： | 2007-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101026191A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 田中秀治;菊地修一;中谷清史;吉武和广 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐压MOS晶体管，其具有300V左右的高的源极－漏极耐压Bvds，并且具有低的接通电阻。形成有从源极层(55)侧向栅极电极(54)下方延伸的N型体层(63)。形成有比第一漂移层(65)更深地扩散到外延半导体层(51)中，并从第一漂移层(65)的下方向栅极电极(54)的下方延伸，在该栅极电极(54)的下方与体层(63)形成PN结的P型第二漂移层(64)。该第二漂移层(64)和源极层(55)之间的体层(63)的表面成为沟道区域(CH2)。第一漂移层(65)形成为从容易产生电场集中的栅极电极(54)的左端部(E1)离开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具备：经由栅极绝缘膜形成于第一导电型半导体层上的栅极电极；与所述栅极电极的一侧的端部相邻形成的第二导电型源极层；从所述源极层侧向所述栅极电极下方延伸的第一导电型体层；从所述栅极电极另一侧的端部离开而形成的第二导电型第一漂移层；比所述第一漂移层更深地扩散到所述半导体层中，并从所述第一漂移层的下方向所述栅极电极下方延伸，在该栅极电极下方与所述体层形成结的第二导电型第二漂移层。
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