[发明专利]化合物半导体衬底、其表面处理方法及制造方法无效
| 申请号： | 200710084402.4 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101038871A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 西浦隆幸;冲田恭子;堀江裕介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/306;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种化合物半导体衬底的表面处理方法，一种化合物半导体的制造方法，一种化合物半导体衬底以及一种半导体晶片，涉及通过减小在由化合物半导体所形成的衬底的表面处的杂质浓度，来减小形成在衬底上的层处的杂质浓度。该化合物半导体衬底表面处理方法包括衬底制备步骤(S10)以及第一清洗步骤(S20)。衬底制备步骤(S10)包括制备由包含至少5质量％的铟的化合物半导体所形成的衬底的步骤。在第一清洗步骤(S20)中，使用清洗液清洗所述衬底至少3秒钟但不超过60秒钟的清洗持续时间，该清洗液具有至少－1但不超过3的pH，以及满足－0.08333x+0.750≤E≤－0.833x+1.333的关系的氧化还原电位E(mV)，其中x是pH值。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 衬底 表面 处理 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体衬底的表面处理方法，包括：衬底制备步骤，制备由包含至少5质量％的铟的化合物半导体所形成的衬底，以及第一清洗步骤，使用清洗液清洗所述衬底至少3秒钟但不超过60秒钟的清洗持续时间，该清洗液具有至少-1但不超过3的pH，以及满足-0.08333x+0.750≤E≤-0.833x+1.333的关系的氧化还原电位E(mV)，其中x是pH值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710084402.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
