[发明专利]适合于批量生产红外传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200710084313.X | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101034011A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 土屋哲男;水田进;熊谷俊弥;佐佐木得人;仓科晴次 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;G01D5/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 依照本发明的红外传感器制造方法包括：在Si衬底上形成绝缘材料的桥结构的步骤，在桥结构上通过干膜形成方法形成氧化钒薄膜的步骤，在氧化钒薄膜上照射激光以由此改变其材料性能的步骤，把改变了材料性能的氧化钒薄膜形成为具有预定图形的测辐射热仪电阻器的步骤，和形成绝缘材料的保护层以便覆盖具有预定图形的测辐射热仪电阻器和桥结构的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 适合于 批量 生产 红外传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造测辐射热仪型红外传感器的方法，通过吸收入射红外光来改变其入射光部分的温度，以便通过温度变化改变电阻器的电阻值，由此输出表示入射红外光照射强度的信号，所述方法包括以下步骤：在绝缘衬底上形成绝缘材料的桥结构；通过干膜形成方法在所述桥结构上形成氧化钒薄膜；在所述氧化钒薄膜上照射激光以由此改变其材料性能；把改变了材料性能的所述氧化钒薄膜形成为作为所述电阻器的预定图形；和形成绝缘材料的保护层以便覆盖形成为预定图形的所述氧化钒薄膜和所述桥结构。
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