[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法和编程方法无效
| 申请号： | 200710084243.8 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101005081A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 吴尚炫;安正烈;权日荣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;H01L23/552;H01L21/8247;H01L21/768;G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储装置及其制备方法和编程方法，其中，该非易失性存储装置包括：形成在半导体衬底上的多条选择线和多条字线，形成在选择线之间的接触插塞，以及形成在选择线和邻近该选择线的字线之间并与该半导体衬底隔离的导电干扰屏蔽线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 编程 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储装置，包括：形成在半导体衬底上的多条选择线和多条字线；形成在所述选择线之间的接触插塞；以及形成在所述选择线和邻近所述选择线的字线之间并与所述半导体衬底隔离的导电材料的干扰屏蔽线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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