[发明专利]热效率下降最小化的相变存储器件及其制造方法

摘要

一种相变存储器件具有不同材料接触插塞，所述不同材料接触插塞具有由第一导电材料制成的第一导电材料插塞和由第二导电材料制成的第二导电材料插塞，第二导电材料具有小于第一导电材料的电阻率，第一导电材料插塞和第二导电材料插塞埋入共用接触孔中。所述不同材料接触插塞对于降低来自在相变层下面的接触插塞的热辐射是有效的。所述相变存储器件还包含延伸电极层，所述延伸电极层在如下区域内与所述相变层的底表面的一部分保持接触，所述区域偏离所述相变层和加热电极相互接触的接触表面正上方的位置。所述延伸电极层降低来自在所述相变层上面的电极的热辐射。

主权项

1.一种相变存储器件，其包含：不同材料接触插塞，所述不同材料接触插塞具有由第一导电材料制成的第一导电材料插塞和由第二导电材料制成的第二导电材料插塞，所述第二导电材料具有小于所述第一导电材料的电阻率，所述第一导电材料插塞和所述第二导电材料插塞埋入到共用接触孔中；加热电极，所述加热电极具有连接到所述第一导电材料插塞上的一端；相变层，所述相变层具有包含连接到所述加热电极的另一端上的一部分的底表面；延伸电极层，所述延伸电极层在如下区域内与所述相变层的底表面的一部分保持接触，所述区域偏离所述相变层和所述加热电极相互接触的接触表面正上方的位置；和接触电极，所述接触电极连接到所述延伸电极层的上表面的一部分上。