[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710084103.0 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101026158A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 西尾洋二;植松裕;大坂英树;原敦;船场诚司 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528;G11C11/4074;G11C11/4099;G11C7/14;G11C5/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，进一步确保输入电路中的参照电压的噪声容限。上述半导体装置包括：焊盘(14)，输入参照电压(Vref)；输入电路(13)；电阻元件(R1)，连接在输入电路(13)的输入端与焊盘(14)之间；电容元件(C1)，连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的电源VDD之间；以及电容元件(C2)，连接在输入电路(13)的输入端与半导体芯片(11a)内的接地VSS之间。上述半导体装置，根据参照电压(Vref)的供电网的阻抗特性，确定电阻元件(R1)的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：输入端子，输入参照电压；输入电路；第1电阻元件，连接在上述输入电路的输入端与上述输入端子之间；第1电容元件，连接在上述输入端与半导体装置内的电源配线之间；以及第2电容元件，连接在上述输入端与上述半导体装置内的接地配线之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
