[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有电可擦写的非易失性存储器的半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括：半导体衬底、元件隔离层、MOSFET和MOS电容，其中，MOSFET具有：形成在SOI层上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的浮置栅电极；形成于浮置栅电极两侧的上述SOI层的源极层和漏极层；形成在源极层与漏极层之间的沟道区域；形成于源极层与沟道区域的交界面附近的源极层、与沟道区域相接、且高浓度扩散了与扩散在沟道区域中的杂质相同类型的杂质的高浓度扩散层；以及覆盖高浓度扩散层和源极层的硅化物层；MOS电容在SOI层具有高浓度扩散了与源极层相同类型的杂质的电容电极，MOS电容的电容电极隔着栅极绝缘膜相对配置在MOSFET的浮置栅电极的端部。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：半导体衬底，由支撑衬底、形成在该支撑衬底上的埋入氧化膜、和形成在该埋入氧化膜上的SOI层形成；元件隔离层，使设定于该半导体衬底的晶体管形成区域和电容形成区域的上述SOI层之间绝缘隔离；MOSFET，形成在上述晶体管形成区域的SOI层上；和MOS电容，形成在上述电容形成区域的SOI层上；其特征在于，上述MOSFET具有：栅极绝缘膜，形成在上述SOI层上；浮置栅电极，形成在该栅极绝缘膜上；源极层和漏极层，形成于该浮置栅电极两侧的上述SOI层；沟道区域，形成在该源极层与漏极层之间；高浓度扩散层，形成于上述源极层与上述沟道区域的交界面附近的源极层，与上述沟道区域相接，高浓度扩散了与扩散在该沟道区域中的杂质相同类型的杂质；以及硅化物层，覆盖该高浓度扩散层和上述源极层；上述MOS电容，在上述SOI层中具有高浓度扩散了与上述源极层相同类型的杂质的电容电极，该MOS电容的电容电极隔着上述栅极绝缘膜相对配置在上述MOSFET的上述浮置栅电极的端部。