[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200710078967.1 | 申请日: | 2003-05-15 |
公开(公告)号: | CN101017797A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;村上智史;纳光明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/32;H01L23/522 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;魏军 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 含有有机化合物的发光元件的不足之处在于它易于受到各种因素的影响而退化,所以它的最大问题是增加它的可靠性(使它的使用寿命更长)。本发明提供一种有源矩阵型发光器件的制造方法,以及具有高可靠性的这种有源矩阵型发光器件的结构。在方法中,形成延伸到源区或漏区的接触孔,然后在层间绝缘膜上形成由光敏有机绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜的上端部具有弯曲表面。随后,用RF电源通过溅射的方法形成由氮化硅膜提供的膜的厚度为20到50nm的层间绝缘膜。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件的制造方法,包括以下步骤:形成覆盖薄膜晶体管的源区和该薄膜晶体管的漏区的无机绝缘膜;通过蚀刻该无机绝缘膜形成延伸到源区和漏区之一的第一接触孔;在无机绝缘膜上形成有机绝缘膜;通过蚀刻该有机绝缘膜形成延伸到源区和漏区之一的第二接触孔;形成连接电极,用于连接源区和漏区之一;形成接触连接电极的第一电极;在第一电极上形成含有有机化合物的层;以及在含有机化合物的层上形成第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造