[发明专利]高密度碳纳米管阵列复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 200710075300.6 | 申请日： | 2007-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101353785A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 罗春香;刘亮;姜开利;刘长洪;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/448;C23C16/52;C23C16/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高密度碳纳米管阵列复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一形成于一基底的碳纳米管阵列和一高分子前驱体溶液；将碳纳米管阵列和高分子前驱体溶液混合，形成一高分子前驱体/碳纳米管阵列混合体；沿着平行于基底的方向挤压高分子前驱体/碳纳米管阵列混合体，形成一高分子前驱体/高密度碳纳米管阵列混合体；聚合高分子前驱体/高密度碳纳米管阵列混合体中的高分子前驱体，从而形成高密度碳纳米管阵列复合材料。本发明的高密度碳纳米管阵列复合材料具有良好的导热性能，可广泛地应用于导热材料或复合材料等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 纳米 阵列 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度碳纳米管阵列复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一形成于一基底的碳纳米管阵列和一高分子前驱体溶液；将碳纳米管阵列和高分子前驱体溶液混合，形成一高分子前驱体/碳纳米管阵列混合体；沿着平行于基底的方向挤压该高分子前驱体/碳纳米管阵列混合体，形成一高分子前驱体/高密度碳纳米管阵列混合体；以及聚合高分子前驱体/高密度碳纳米管阵列混合体中的高分子前驱体溶液，从而形成高密度碳纳米管阵列复合材料。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
