[发明专利]一种聚偏氟乙烯－乙炔黑高介复合薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200710066934.5 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101007888A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;陈倩;翁文剑;高荣;赵高凌;汪建勋;宋晨路;沈鸽;徐刚;张溪文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K7/06;C08J5/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的聚偏氟乙烯－乙炔黑高介复合薄膜按体积百分比含有：重均分子量为40万的聚偏氟乙烯98.0％～99.0％，晶粒尺寸为50nm～100nm的乙炔黑1.0％～2.0％。采用将乙炔黑粉末和聚偏氟乙烯制成混合溶液，利用浸渍提拉法拉制聚偏氟乙烯－乙炔黑复合薄膜，再经过60℃～80℃下恒温热处理得到。本发明的薄膜介电性能优良，具有高介电常数(100KHz时介电常数约为56)和超低的介电损耗(小于0.15)，在低频下具有良好的频率稳定性。而且制备工艺简单，便于工业化生产，具有良好的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚偏氟 乙烯 乙炔 黑高介 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种聚偏氟乙烯-乙炔黑高介复合薄膜，其特征在于该薄膜的成分按体积百分含量为：重均分子量为40万的聚偏氟乙烯 98.0％～99.0％晶粒尺寸为50nm～100nm的乙炔黑 1.0％～2.0％。
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