[发明专利]一种制备超冶金级硅的方法有效
| 申请号： | 200710066017.7 | 申请日： | 2007-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101112987A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 马文会;戴永年;杨斌;刘大春;于站良;谢克强;魏奎先;徐宝强;伍继君;汪镜福 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650093云南省昆明市五华*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种制备超冶金级硅的方法。本发明涉及属于制备高纯度一种硅的方法，特别是由冶金级硅制备纯度大于99.99％的超冶金级硅的方法。本发明是将块状冶金级硅经过清洗、破碎、球磨、筛分、初步除杂等工序后，放入超声波、微波场中进行冶金酸浸处理，经过强化处理后的冶金级硅粉再采用常压湿法浸出和高温高压浸出结合，使得冶金级硅粉中的金属杂质能够尽快的进入浸出液中，浸出液经过萃取后循环利用，而萃取剂也经过反萃取后循环利用。本方法联合采用了微波冶金、超声波冶金、高温高压浸出等特种场强化技术，制备的硅纯度为99.99％以上，满足太阳能电池行业对超冶金级硅的要求，且设备投资少、能耗低，对环境的影响比较小，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 冶金 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备超冶金级硅的方法，其特征在于：块状冶金级硅经过清洗、破碎、球磨、筛分、初步除杂等工序后，放入超声波、微波场中进行冶金酸浸处理，经过强化处理后的冶金级硅粉再采用常压湿法浸出和高温高压浸出结合，使得冶金级硅粉中的金属杂质能够尽快的进入浸出液中，浸出液经过萃取后循环利用，而萃取剂也经过反萃取后循环利用。
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