[发明专利]一种铜锰镓锗精密电阻合金无效
| 申请号： | 200710065726.3 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101020974A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 黄炳醒;万吉高;张瑞华;雷春明;刘雄;武海军 | 申请（专利权）人： | 贵研铂业股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C9/05;C22C1/02;C22F1/08;H01B1/02;H01C17/00 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650106云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种铜锰镓锗系列精密电阻合金，成分(重量比)为7～12％Mn，6～9％Ga，1～3％Ge，余量Cu，还可以加入Ni、Re、Al、In等元素中的一种或几种，但这些添加元素的总量不应超过3％。这类合金在－60～125℃温度范围内的平均温度系数小，对铜热电势小，抗拉强度达600N/mm2以上。合金的电性能稳定，具有良好的加工性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锰镓锗 精密 电阻 合金 | ||
【主权项】：
1.一种铜锰镓锗精密电阻合金，其特征在于，成分的重量比为7～12％Mn，6～9％Ga，1～3％Ge，余量为Cu。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵研铂业股份有限公司，未经贵研铂业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710065726.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的制造方法
- 下一篇：半导体装置
