[发明专利]透明导电薄膜制备所用的靶材及导电薄膜和电极制造方法有效
| 申请号： | 200710065344.0 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101285164A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 薛建设;林承武;梁珂 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电薄膜制备所用的靶材，靶材为AZO陶瓷，其中Al元素的含量在1at％－10at％，其他组分为ZnO。本发明同时公开透明导电薄膜的制造方法以及透明导电电极的制造方法。本发明通过利用资源丰富的Al和Zn代替资源稀缺高价格的In和Sn，制备二元陶瓷靶材，并利用磁控溅射或电子束蒸发AZO靶材的方法在基体上沉积薄膜，经过光刻和刻蚀作为FPD透明导电电极，能够降低成本，得到具有低的电阻率和优良的可见光透过率、以及抗等离子体的还原作用的透明导电薄膜和透明导电电极。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 薄膜 制备 所用 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、 一种透明导电薄膜制备所用的靶材，其特征在于：所述靶材为AZO陶瓷。
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