[发明专利]基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器有效
申请号: | 200710064946.4 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101026197A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 孙家林;朱嘉麟;许佳;郭继华 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/032;H01G9/20;G01J1/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京市100*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器,涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成回路,然后在回路中通以适当的电流,使铜纳米线表面在空气中氧化形成铜氧化物包裹层。将处理后的纳米线簇和连接它的电极端真空封装于石英套管内,并在套管外部留出电极的另一端作为引线。工作时,把两电极引线和电信号检测设备相连接,当有光束照射在纳米线簇的中央位置时,电路中电导会发生显著变化,其光电导的数值依赖于入射光的强度,即当光强增加时,光电导数值也会增加,反之,当光强减小时,光电导数值也会减小,且其光电响应速度很快。 | ||
搜索关键词: | 基于 宏观 长度 氧化 包裹 纳米 电导 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器,其特征在于:该光电导传感器含有宏观长度的具有氧化亚铜包裹层的铜纳米线簇(2),该具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇(2)的两端分别与两电极(3)相连接,并且具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇(2)和连接它的电极端一起真空封装于石英套管(1)内,在石英套管外部伸出两电极的另一端作为引线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的